Tris-HCl Buffer,2.0M,pH8.0
Tris-HCl Buffer,2.0M,pH8.0应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页或明显标签
Zinc Sulfate Solution（硫酸锌溶液）,100mM
Zinc Sulfate Solution（硫酸锌溶液）,100mM应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页或明显标签
RNase-Free Tris-HCl Solution（无RNase的Tris-HCl溶液）,1M,pH7.4
RNase-Free Tris-HCl Solution（无RNase的Tris-HCl溶液）,1M,pH7.4应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页
RNase-free 氯化锂溶液,10M
RNase-free 氯化锂溶液,10M应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页或明显标签
RIPA Buffer without SDS
RIPA Buffer without SDS应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页或明显标签
秋水仙素溶液
秋水仙素溶液应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页或明显标签
TE Buffer,100X,pH7.6
TE Buffer,100X,pH7.6应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页或明显标签
Tris-Glycine-Native Sample Buffer,4X
Tris-Glycine-Native Sample Buffer,4X应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页或明显标签
Tris-HCl Buffer,1.0M,pH6.8
Tris-HCl Buffer,1.0M,pH6.8应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页或明显标签
Tris-HCl Buffer,1.0M,pH7.8
Tris-HCl Buffer,1.0M,pH7.8应存放于冷暗处，能放于普通冰箱内。放置时间不宜超过一周，倾注的平板培养基不宜超过3天。每批培养基均必须附有该批培养基制各记录副页或明显标签